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HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic)
HTCC又称为高温共烧多层陶瓷,生产制造过程与LTCC极为相似,主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无加入玻璃材质,因此,HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚,接着同样钻上导通孔,以网版印刷技术填孔与印制线路,因其共烧温度较高,使得金属导体材料的选择受限,其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属,再叠层烧结成型。氮化铝陶瓷线路板
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DBC (Direct Bonded Copper)
直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上,其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素,在1065℃~1083℃范围内,铜与氧形成Cu-O共晶液, DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成 CuAlO2或CuAl2O4相,另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。氮化铝陶瓷线路板
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力学性能检测
陶瓷基板力学性能主要指金属线路层的结合强度,表示金属层与陶瓷基片间的粘接强度,直接决定了后续器件封装的质量(固晶强度与可靠性等)。不同方法制备的陶瓷基板结合强度差别较大,通常采用高温工艺制备的平面陶瓷基板(如TPC、DBC等),其金属层与陶瓷基片间通过化学键连接,结合强度较高。而低温工艺制备的陶瓷基板(如DPC基板),金属层与陶瓷基片间主要以范德华力及机械咬合力为主,结合强度偏低。氮化铝陶瓷线路板